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中心（b）单次触发沟道电导ΔG的平均变化与脉冲宽度的关系。文献链接：电力大行对Oxide‐BasedElectrolyte‐GatedTransistorsforSpatiotemporalInformationProcessing(Adv.Mater.,2020,DOI:10.1002/adma.202003018)作者简介：电力大行对尚大山，现任中国科学院微电子研究所研究员。

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